[发明专利]导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法无效
| 申请号： | 201380023517.6 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104508761A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 富田伦央;小林健太 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B9/00;C23C14/08;C23C14/58;H01B13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有易于通过热处理来结晶化、结晶化后的薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的非晶质层的导电膜用原料。该导电膜用原料具有透明基材、和层积在上述透明基材上的由铟锡氧化物构成的非晶质层。上述非晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 原料 层积 电子设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电膜用原料，它是具有透明基材、和层积在所述透明基材上的由铟锡氧化物构成的非晶质层的导电膜用原料，其特征在于，所述非晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。
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