[发明专利]用刻蚀步骤P3和可选的步骤P1制造光伏组件的方法在审
| 申请号： | 201380022892.9 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104272458A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·卡斯特;查尔斯·罗杰 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐川;姚开丽 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种制造用于获得光伏组件的中间产品的方法，光伏组件包括多个太阳能电池，所述方法包括以下步骤：(a)在基板(4)上局部化地沉积金属层(8)以覆盖基板的至少一部分(401)，(b)在这种局部化层(8)上沉积导电材料的层(41)，所述层涂覆局了部化层(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 步骤 p3 可选 p1 制造 组件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造用于获得包括多个太阳能电池的光伏组件的中间产品的方法，该方法包括以下步骤：(a)在基板(4)上局部化地沉积金属层(8)，以覆盖所述基板的至少一部分(401)，(b)在该局部化层(8)上沉积导电材料的层(41)，该层涂覆了所述局部化层(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
