[发明专利]在具有负焦耳‑汤姆逊系数的气体的氛围中的接合方法有效
| 申请号： | 201380022409.7 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104488066B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 弗朗索瓦·里乌托德 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/18;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华,何月华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直接接合两个基板的方法，至少包括(a)使所述基板的待接合表面紧密接触；和(b)在所述基板之间传播接合波，其特征在于，在步骤(b)期间将所述基板维持在使在氛围的温度和压力下具有负焦耳‑汤姆逊系数的气体的所述氛围中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 焦耳 汤姆 系数 气体 氛围 中的 接合 方法 | ||
【主权项】：
一种通过分子粘合来接合两个基板的方法，所述方法至少包括：(a)使所述基板的待接合表面紧密接触；和(b)在所述基板之间传播接合前缘；其特征在于，在步骤(b)期间使所述基板维持在使在气体氛围的温度和压力下具有负焦耳‑汤姆逊系数的所述气体氛围中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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