[发明专利]具有均匀的中孔的MFI型沸石和用于制造其的方法在审
申请号: | 201380021291.6 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN104245584A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 高光泰之;吉田智 | 申请(专利权)人: | 东曹株式会社 |
主分类号: | C01B39/40 | 分类号: | C01B39/40 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 沈雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供新型MFI型沸石和提供用于制造所述MFI型沸石的方法,所述新型MFI型沸石当用作催化剂时,可用于较大分子的选择性催化反应。MFI型沸石具备下列性质:(i)所述MFI型沸石包括均匀的中孔,所述均匀的中孔具有其半高峰宽(hw)为至多20nm(hw≤20nm)且最大峰的中心值(μ)为10nm以上且20nm以下(10nm≤μ≤20nm)的孔分布曲线,并具有至少0.05mL/g的所述均匀的中孔的孔体积(pv)(0.05mL/g≤pv);(ii)所述MFI型沸石在具有由2θ表示的衍射角的粉末X-射线衍射测量中在0.1°-3°的范围内不具有峰;和(iii)所述MFI型沸石具有至多100nm(PD≤100nm)的平均粒径(PD)。 | ||
搜索关键词: | 具有 均匀 mfi 型沸石 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
MFI型沸石,其具备下列性质:(i)所述MFI型沸石具有均匀的中孔,所述均匀的中孔具有其半高峰宽(hw)为至多20nm(hw≤20nm)、且最大峰的中心值(μ)为10nm以上且20nm以下(10nm≤μ≤20nm)的孔分布曲线,并且孔体积(pv)至少为0.05mL/g(0.05mL/g≤pv);(ii)所述MFI型沸石在具有由2θ表示的衍射角的粉末X‑射线衍射测量中,在0.1°‑3°的范围内不具有峰;和(iii)所述MFI型沸石具有至多100nm的平均粒径(PD)(PD≤100nm)。
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