[发明专利]用于在磁记录介质的粘合膜层用CrTi系合金

摘要

本发明提供了用于在磁记录介质中使用的粘合膜层用CrTi系合金和用于溅射的靶材，以及使用该合金的垂直磁记录介质。该合金是一种CrTi系合金，其具有按原子比计由(Cr，Mo，W)x(Ti，Ta，Zr)100‑X，40≤X≤70表示的组成式；其中合金中的Cr元素被选自Mo和W中的一种或两种元素在以下Mo+W的范围内取代10原子％至X/2原子％；并且合金中的Ti元素被选自Ta和Zr中的一种或两种元素在Ta+Zr≤20原子％(包括0原子％)的范围内取代。

主权项

一种用于在磁记录介质中使用的粘合膜层用CrTi系合金，所述CrTi系合金具有按原子比计由(Cr,Mo,W)X(Ti,Ta,Zr)100‑X，40≤X≤70表示的组成式，其中所述合金中的选自Mo和W中的一种或两种元素的合计含量为10原子％至X/2原子％；并且所述合金中的选自Ta和Zr中的一种或两种元素的合计含量为0原子％～20原子％。