[发明专利]用于在磁记录介质的粘合膜层用CrTi系合金

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求在2012年4月18日提交的日本专利申请号2012-94409的优先权，其全部内容通过引用被结合在此。

技术领域

本发明涉及用于在磁记录介质中使用的粘合膜层用CrTi系合金和使用该合金的用于溅射的靶材以及垂直磁记录介质。

背景技术

近年来，在磁记录技术上已有显著的进步，为了增加驱动器容量，已持续提高磁记录介质中的记录密度，并且与常规使用的纵向磁记录介质相比达到更高记录密度的垂直磁记录系统已进入实际应用。而且，也已经研究了其中应用垂直磁记录系统的通过热或微波来辅助记录的方法。垂直磁记录系统是其中易磁化轴定向在垂直于垂直磁记录介质的磁性膜的介质面的方向上的系统，并且是适用于高记录密度的方法。

在垂直磁记录系统中，其中将软磁性衬里层和垂直磁记录层组合的双层式垂直磁记录介质与磁单极型磁头的组合对于达到高记录密度是有效的。然而，因为软磁衬里层的膜厚度有几十nm到数百nm那么多，该膜厚度可能导致劣化的表面平坦性，并可能对垂直磁记录层的形成以及磁头的漂浮性造成不利影响。而且，它的高的膜应力可以导致劣化的向玻璃基板的粘合。

作为解决这种问题的手段，已经使用了一种磁记录介质，其中在玻璃基板和软磁性衬里层之间形成用于增强粘合性的粘合层，例如，如在日本专利公开公开号2006-114162(专利文献1)中所述。在粘合层中所用的合金需要是非晶态的以确保表面平整性，并且需要具有对基板和磁性层的良好粘合性。

例如，作为粘合层材料，日本专利公开公开号2008-10088(专利文献2)提出了CrTi、CrTa等，它们是通过向具有高粘合性的Cr添加Ti、Ta等而成为非晶态的。此外，日本专利公开公开号2010-92567(专利文献3)提出了NiTa合金，它是通过向Ni添加Ta而成为非晶态的。

引用清单

专利文献

[PTL1]日本专利公开公开号2006-114162

[PTL2]日本专利公开公开号2008-10088

[PTL3]日本专利公开公开号2010-92567

发明概述

然而，当使用上述材料时，不小于一定水平(5nm)的膜厚度对于释放在溅射过程中积累在膜表面上的电荷是必需的，因为该膜的比电阻高。此外，当以这样的方式使用具有大厚度的膜时，其长期使用可能导致粘合层中粒子数量的逐渐增加，并可以导致在磁记录介质中产生更多的缺陷。

针对上述问题提出了本发明，并且本发明针对通过使用其中在溅射过程中在膜的表面上积累的电荷即使具有较薄的膜厚度也可以容易地释放的粘合层，提供一种包括较少缺陷的垂直磁记录介质。在此考虑下，发明人进行了深入的研究，并因此获得了一种合金，其能够降低粘合层的比电阻，即，能够增加电导率，并且其中即使具有较薄的膜厚度，在溅射过程中积累在膜表面上的电荷也可以容易地释放。通过用一种或两种选自Mo和W的高熔点金属取代CrTi系合金中10原子％以上的Cr获得合金以提高电导率。此外，发明人还通过用一种或两种选自Zr和Ta的高熔点金属取代CrTi系合金中的Ti，获得具有更加改善的电导率的合金。此外，还获得了使用这种合金的用于磁记录介质的溅射靶材，以及使用这种合金的垂直磁记录介质。

根据本发明的一个实施方案，

提供了一种用于在磁记录介质中使用的粘合膜层用CrTi系合金，所述CrTi系合金具有按原子比计由(Cr,Mo,W)_X(Ti,Ta,Zr)_100-X，40≤X≤70表示的组成式；其中

所述合金中的Cr元素被选自Mo和W中的一种或两种元素在以下Mo+W的范围内取代：10原子％至X/2原子％；并且

所述合金中的Ti元素被选自Ta和Zr中的一种或两种元素在Ta+Zr≤20原子％(包括0原子％)的范围内取代。

根据本发明的另一个实施方案，提供了使用上述CrTi系合金的溅射靶材。

根据本发明的再另一个实施方案，提供了使用上述CrTi系合金的垂直磁记录介质。

如上所述，本发明提供溅射靶材，其是具有高电导率且能够降低磁记录介质中玻璃基板与软磁性衬里膜之间形成的粘合层的膜厚度的非晶态合金。可以通过降低粘合层的膜厚度减少粘合层中的粒子，从而提供具有较少缺陷的垂直磁记录介质。如上所述，在该应用的用于粘合层的合金中，本发明展现了增强电导率和降低粘合层的厚度的效果。