[发明专利]用于在磁记录介质的粘合膜层用CrTi系合金有效
申请号: | 201380020226.1 | 申请日: | 2013-04-11 |
公开(公告)号: | CN104246884B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 松原庆明;长谷川浩之;泽田俊之 | 申请(专利权)人: | 山阳特殊制钢株式会社 |
主分类号: | G11B5/738 | 分类号: | G11B5/738;C23C14/34;G11B5/851 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 刘宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 记录 介质 使用 粘合 膜层用 crti 合金 获得 溅射 垂直 | ||
1.一种用于在磁记录介质中使用的粘合膜层用CrTi系合金,所述CrTi系合金具有按原子比计由(Cr,Mo,W)X(Ti,Ta,Zr)100-X,40≤X≤70表示的组成式,其中
所述合金中的选自Mo和W中的一种或两种元素的合计含量为10原子%至X/2原子%;并且
所述合金中的选自Ta和Zr中的一种或两种元素的合计含量为0原子%~20原子%。
2.根据权利要求1所述的CrTi系合金,其中所述合金中的选自Ta和Zr中的一种或两种元素的合计含量为大于0原子%但在20原子%以下。
3.根据权利要求1或2所述的CrTi系合金,其中所述合金具有按原子比计由(Cr,Mo,W)X(Ti,Ta,Zr)100-X,45≤X≤65表示的组成式。
4.根据权利要求1或2所述的CrTi系合金,其中所述合金中的选自Mo和W中的一种或两种元素的合计含量为15原子%至X/2原子%。
5.使用根据权利要求1至4中任一项所述的CrTi系合金的溅射靶材。
6.使用根据权利要求1至4中任一项所述的CrTi系合金的垂直磁记录介质。
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