[发明专利]具有增强的伽玛辐射灵敏度的固态辐射探测器有效
| 申请号： | 201380019497.5 | 申请日： | 2013-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN104221157B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | M·D·海尔贝尔;M·M·瓦尔特;R·W·弗拉曼宁 | 申请（专利权）人： | 西屋电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种碳化硅肖特基二极管固态辐射探测器，其具有放置在肖特基接触部上并与其间隔开的例如铂的电子施主层，以贡献从铂层到探测器有源区域的高能量的康普顿和光电电子，从而增强来自入射伽玛辐射的带电粒子的聚集。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 辐射 灵敏度 固态 探测器 | ||
【主权项】：
一种固态辐射探测器(22)，包含：肖特基二极管，具有有源半导体区域(16)和位于所述有源半导体区域的至少一部分上的肖特基接触部(18)；康普顿和光电子源材料层(20)，与入射伽玛射线反应，以与源材料的源原子周围的电子相互作用而产生通过肖特基接触部贯穿进入肖特基二极管的有源半导体区域(16)的高能量康普顿和光电电子，所述康普顿和光电子源材料层被支撑在肖特基接触部(18)上；以及流体层(24)，介于所述肖特基接触部(18)与所述康普顿和光电子源材料层(20)之间，其中位于康普顿和光电子源材料层(20)和肖特基接触部(18)间的间隔内的流体层(24)包含空气或有效原子序数和导电率等于或小于空气的其他材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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