[发明专利]等离子体产生装置、蒸镀装置以及等离子体产生方法有效
| 申请号： | 201380019358.2 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104221477B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 古屋英二 | 申请（专利权）人： | 中外炉工业株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/50 | 分类号： | H05H1/50;C23C14/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 韩俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能在广大的范围内产生均匀的等离子体的等离子体产生装置。根据本发明的等离子体产生装置(1)的特征在于，将两个等离子枪(3)相对配置，这两个等离子枪(3)喷射出电离的放电气体，且分别包括辐射电子的阴极(6)、和形成对辐射出的电子进行引导的磁通量的聚焦线圈(10)，两个等离子枪(3)的相对于阴极阴极(6)的聚焦线圈(10)的极性为彼此相反的朝向。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 产生 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体产生装置，其特征在于，在所述等离子体产生装置中将两个喷射电离的放电气体的等离子枪彼此相对地配置，这两个等离子枪分别包括放射电子的阴极和形成对放射出的电子进行引导的磁通的聚焦线圈，在两个所述等离子枪中，相对于配置所述阴极的方向的所述聚焦线圈的极性为彼此相反的朝向。
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