[发明专利]用于控制基板均匀度的方法及设备无效
申请号: | 201380018921.4 | 申请日: | 2013-04-02 |
公开(公告)号: | CN104205299A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | S·M·R·萨德贾迪;D·卢博米尔斯基;H·诺巴卡施;Z·J·叶;D·H·考齐;S·S·康 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种动态可调式工艺套件、一种具有动态可调式工艺套件的处理腔室,以及一种使用动态可调式工艺套件来处理基板的方法。该动态可调式工艺套件使得工艺套件的电气状态及热状态的一者或两者,在不改变工艺套件的物理结构下,能被改变,是以,不需替换工艺套件而能够容易地改变等离子体性质及工艺结果。该具有动态可调式工艺套件的处理腔室包括腔体和工艺套件,该腔体包括导电侧壁部分,导电侧壁经配置为受电气控制。该处理腔室包括第一控制系统以及第二控制系统,第一控制系统可操作以控制工艺套件的电气状态及热状态的一者或两者,以及第二控制系统可操作以控制导电侧壁部分的电气状态。 | ||
搜索关键词: | 用于 控制 均匀 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于等离子体处理腔室的工艺套件,所述工艺套件包含:顶环;以及底环,所述底环经调适而以同心方式支持所述顶环,所述顶环及所述底环的内径经选择而环绕半导体晶圆,所述底环具有连接器,所述连接器经配置而将信号耦合至所述底环以供外部控制所述底环的热状态及电气状态的一者或两者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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