[发明专利]多结太阳能电池装置的制造有效
| 申请号： | 201380016818.6 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104247047B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 布鲁诺·吉瑟兰;尚塔尔·艾尔纳;F·迪姆罗特;A·W·贝特 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0304;C30B33/06;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/62 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 吕俊刚,刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造多结太阳能电池装置的方法，所述方法包括以下步骤提供第一加工基板；提供第二基板；在所述第一加工基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以得到第一晶圆结构；在所述第二基板上形成至少一个第二太阳能电池层，以得到第二晶圆结构；将所述第一晶圆结构结合到所述第二晶圆结构；脱离所述第一加工基板；去除所述第二基板；将第三基板结合到所述至少一个第一太阳能电池层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种制造多结太阳能电池装置的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一加工基板；提供第二基板；在所述第一加工基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以得到第一晶圆结构，其中，所述第一加工基板包括在所述第一加工基板内的方便在后续加工步骤中在晶圆结合之后脱离所述第一加工基板的层或界面；在所述第二基板上形成至少一个第二太阳能电池层，以得到第二晶圆结构；将所述第一晶圆结构结合到所述第二晶圆结构；脱离所述第一加工基板；去除所述第二基板；以及将第三基板结合到所述至少一个第一太阳能电池层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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