[发明专利]制造太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及由第一传导型半导体基板制造太阳能电池的方法，该半导体基板具有正面和背面，该方法按该顺序包括通过第二传导型掺杂物的扩散创建正面和背面中的第二传导型掺杂层，在扩散期间形成正面和背面上的包含掺杂物的玻璃层；通过单面蚀刻工艺从背面除去第二传导型的掺杂层和包含掺杂物的玻璃层，同时在正面中保留包含掺杂物的玻璃层；通过将第一传导型的掺杂物植入到背面中来创建背面上的第一传导型的背面场(BSF)层；通过蚀刻工艺从所述基板的正面除去包含掺杂物的玻璃层；通过在氧化气氛中以预定的一段时间加热所述基板并加热到预定的温度进行表面氧化以形成正面和背面上的钝化层。

主权项

一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池由第一传导型半导体基板制造，所述第一传导型是n型，所述半导体基板具有纹理化的正面和背面，所述方法按顺序包括：‑通过第二传导型的掺杂物的扩散在所述正面和所述背面中创建第二传导型的掺杂发射层，其包括使所述正面在700℃和1200℃之间的高温下暴露于p型掺杂物；‑在扩散期间在所述正面和所述背面上形成包含掺杂物的玻璃层；‑通过单面蚀刻工艺从所述背面除去所述第二传导型的掺杂发射层和所述包含掺杂物的玻璃层，同时在所述正面上保留所述包含掺杂物的玻璃层；‑通过使用定向离子束将第一传导型的掺杂物离子植入到所述背面中来在所述背面上创建第一传导型的背面场(BSF)层，而并不影响所述正面处的所述第二传导型的掺杂发射层；‑通过蚀刻工艺从所述基板的所述正面除去所述包含掺杂物的玻璃层，以及‑通过在氧化气氛中以预定的时间段加热所述基板并且将所述基板加热到预定的温度来进行表面氧化以在所述正面和背面上形成氧化钝化层，在此步骤期间，实施p型掺杂发射层和n型掺杂BSF的进一步的共扩散，其中所述正面上的所述包含掺杂物的玻璃层在掺杂物植入到所述背面中期间用作保护输送器，以及其中热氧化被实施以便获取邻近所述正面的所述半导体基板中的深结，其中所述深结具有0.4‑1微米的范围内的结深。