[发明专利]用于纠正等离子体处理系统中的不对称性的方法和装置有效
申请号: | 201380015068.0 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN104204288B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 南尚基;拉金德尔·迪恩赛 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种具有等离子体处理室的等离子体处理系统,该等离子体处理室包括室壁和室衬里中的至少一个。等离子体处理系统包括设置在室表面的周边附近的多个接地母线,该室表面是等离子体处理室的室壁和室衬里中的一个。等离子体处理系统还包括联接到多条接地母线中的至少第一接地母线的至少第一阻抗装置,其中多条接地母线的第二接地母线不具备与第一阻抗装置具有相同阻抗值的第二阻抗装置。 | ||
搜索关键词: | 用于 纠正 等离子体 处理 系统 中的 对称性 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种具有等离子体处理室的等离子体处理系统,其包括:室壁和室衬里中的至少一个;围绕室表面的周边设置的多条接地母线,所述室表面是所述等离子体处理室的室壁和室衬里中的一个;多个阻抗装置,其设置为围绕室表面的周边并且每一个与所述多条接地母线中对应的一条相关;所述多个阻抗装置中的第一阻抗装置耦合到所述多条接地母线中的第一接地母线,其中所述多个阻抗装置中的第二阻抗装置耦合到所述多条接地母线中的第二接地母线,所述第二阻抗装置具有与所述第一阻抗装置的阻抗值不同的阻抗值;其中所述第一阻抗装置和第二阻抗装置是单独可调的,以在围绕室表面的周边的区域限定不对称阻抗,以补偿等离子体处理体统中的方位角不均匀性;其中所述多个阻抗装置中的每一个是缠绕在所述多条接地母线中对应的每一条周围的线圈;其中线圈电流值被提供到每个线圈以在所述多条接地母线中的每一条中引起逆电流或附加电流。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的