[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

申请号：	201380014079.7	申请日：	2013-03-04
公开（公告）号：	CN104170069A	公开（公告）日：	2014-11-26
发明（设计）人：	宫本忠芳;伊东一笃;宫本光伸;高丸泰	申请（专利权）人：	夏普株式会社
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;G02F1/1368;H01L29/786
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	半导体器件(100A)具备：栅极电极(3)和栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含半导体区域(51)和与半导体区域(51)接触的第一导电体区域(55)，半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；覆盖半导体区域(51)的上表面的保护层(8b)；与半导体区域(51)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和以隔着电介质层与第一导电体区域(55)的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)，漏极电极(6d)与第一导电体区域(55)接触，在从基板的法线方向看时，保护层(8b)的端部与漏极电极(6d)的端部、源极电极(6s)的端部或栅极电极(3)的端部大致对齐，半导体区域(51)与第一导电体区域(55)的边界的至少一部分，与保护层(8b)的端部大致对齐。
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
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【主权项】：

一种半导体器件，其特征在于，具备：基板；在所述基板之上形成的栅极电极；在所述栅极电极之上形成的栅极绝缘层；氧化物层，其形成在所述栅极绝缘层之上，包含半导体区域和与所述半导体区域接触的第一导电体区域，所述半导体区域的至少一部分隔着所述栅极绝缘层与所述栅极电极重叠；覆盖所述半导体区域的上表面的保护层；与所述半导体区域电连接的源极电极和漏极电极；和以隔着电介质层与所述第一导电体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极，所述漏极电极与所述第一导电体区域接触，在从所述基板的法线方向看时，所述保护层的端部与所述漏极电极的端部、所述源极电极的端部或所述栅极电极的端部大致对齐，所述半导体区域与所述第一导电体区域的边界的至少一部分与所述保护层的端部大致对齐。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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