[发明专利]电子器件绝缘层及电子器件绝缘层的制造方法有效
申请号: | 201380011819.1 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN104137236A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 矢作公 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/50;H05B33/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王彦慧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题在于提供能够提高电子器件特性的电子器件绝缘层。用于解决课题的手段为一种电子器件绝缘层,其具有由第1绝缘层材料形成的第1绝缘层和由第2绝缘层材料形成在该第1绝缘层上的第2绝缘层,该第1绝缘层材料是含有感光性树脂组合物(A)、烷氧基钨(V)(B)和碱性化合物(C)的绝缘层材料,该第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的绝缘层材料,所述高分子化合物(D)在分子内包含具有环状醚结构的重复单元和具有在酸的作用下生成酚性羟基的有机基团的重复单元。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 绝缘 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电子器件绝缘层,其具有由第1绝缘层材料形成的第1绝缘层和由第2绝缘层材料形成在该第1绝缘层上的第2绝缘层,所述第1绝缘层材料是含有感光性树脂材料(A)和烷氧基钨(V)(B)的材料,所述第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的材料,所述高分子化合物(D)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元,式(1)中,R1表示氢原子或甲基,RA表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,R表示能够被酸脱离的有机基团,R’表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,p1表示0或1的整数,p2表示1~5的整数,在具有多个R时,多个R可以相同或不同,在具有多个R’时,多个R’可以相同或不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造