[发明专利]氟掺杂氧化锡(IV)SnO2:F在制备光伏板上的加热层中的应用以及该光伏板无效
申请号: | 201380009344.2 | 申请日: | 2013-02-14 |
公开(公告)号: | CN104247041A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | K·斯库平;P·博拉廷斯基;E·施塔内克;D·齐康 | 申请(专利权)人: | ML系统有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 祁丽 |
地址: | 波兰*** | 国省代码: | 波兰;PL |
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摘要: | 本发明包括氟掺杂氧化锡(IV)SnO2:F(FTO)在制备光伏板上的加热层中的应用。本发明还包括一种光伏板,其特征在于,所述光伏板的前部(1)覆盖有氟掺杂氧化锡(IV)SnO2:F的导电层(2),所述导电层上沉积有电极(3)。当与电源连接时,所述导电层(2)变为加热层。在优选的实施方案中,在所述导电层上施加透明聚合物膜(4),所述透明聚合物膜与氟掺杂氧化锡(IV)SnO2:F的导电层(2)和光伏电池(5)不可分割地且永久地粘接在一起。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 氧化 iv sno sub 制备 光伏板上 加热 中的 应用 以及 光伏板 | ||
【主权项】:
氟掺杂氧化锡(IV)SnO2:F在光伏板上接收加热层的应用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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