[发明专利]具有减少的源极退化电感的放大器有效
| 申请号： | 201380008996.4 | 申请日： | 2013-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104106214A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | J·卡班尼拉斯;C·D·普莱斯蒂;N·L·小弗雷德里克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/34 | 分类号： | H03F1/34;H03F1/56;H03F3/193;H03F3/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开用于减少不期望的源极退化电感的技术。在一种示例性设计中，一种装置包括第一连接和第二连接。第一连接包括充当放大器的源极退化电感的第一寄生电感。第二连接包括磁耦合到第一寄生电感以便减少放大器的源极退化电感的第二寄生电感。放大器(例如，单端功率放大器)可以经由第一连接耦合到电路地。阻抗匹配电路可以耦合到放大器，且可以包括经由第二连接耦合到电路地的电路组件。第一连接可以定位为充分靠近第二连接(例如，在第二连接的预定距离内)，以便在第一寄生电感和第二寄生电感之间获得所期望的磁耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 退化 电感 放大器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一连接，其包括充当放大器的源极退化电感的第一寄生电感；以及第二连接，其包括磁耦合到所述第一寄生电感以便减少所述放大器的所述源极退化电感的第二寄生电感。
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