[发明专利]具有吸收多层的光伏器件及制造该光伏器件的方法有效
| 申请号： | 201380005760.5 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104221165A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 金昌明;彭希林;里克·C·鲍威尔;乔志林·亚伦;熊刚 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司;金昌明;彭希林;里克·C·鲍威尔;乔志林·亚伦;熊刚 |
| 主分类号： | H01L31/073 | 分类号： | H01L31/073;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种具有吸收多层(270)的光伏器件(20)以及制造该光伏器件的方法。邻近于窗口层(130)形成的吸收多层(270)可包括包含第一掺杂剂的掺杂的第一碲化镉层(142)和本征的第二碲化镉层(144)。吸收多层还可至少包括邻近于背接触件(150)形成的第三碲化镉层(146)。至少第三碲化镉层(146)可包括掺杂的或本征的碲化镉。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 吸收 多层 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光伏器件，所述光伏器件包括：窗口层；背接触件，形成在窗口层上方；以及吸收多层，形成在窗口层和背接触件之间，吸收多层包括：掺杂的第一碲化镉层，包含第一掺杂剂；以及本征的第二碲化镉层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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