[发明专利]半导体器件和制备半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201380004030.3 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN105264674B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 皇甫幼睿 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 毛威;张亮 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件和制备半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一硅层(110；210)；第一介质层(120；220)，位于该第一硅层(110；210)上面，该第一介质层(120；220)包含窗口(121；221)，该第一介质层(120；220)的窗口(121；221)底部的横向尺寸不超过20nm；III‑V族半导体层(130；230)，位于该第一介质层(120；220)上面以及该第一介质层(120；220)的窗口(121；221)内，并在该第一介质层(120；220)的窗口(121；221)内与该第一硅层(110；210)相连。本发明实施例的半导体器件中的III‑V族半导体材料没有线位错，因而具有较高的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一硅层(110；210)；绝缘的第一介质层(120；220)，所述第一介质层(120；220)位于所述第一硅层(110；210)上面，所述第一介质层(120；220)具有窗口(121；221)，所述第一介质层(120；220)的窗口(121；221)底部的横向尺寸不超过20nm；III‑V族半导体层(130；230)，所述III‑V族半导体层(130；230)分布于所述第一介质层(120；220)上面并深入到所述第一介质层(120；220)的窗口(121；221)内，并在所述第一介质层(120；220)的窗口(121；221)内与所述第一硅层(110；210)相连；所述第一介质层(120；220)的窗口(121；221)为倒锥形。
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