[发明专利]强磁性材料溅射靶有效
| 申请号： | 201380003863.8 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103946415A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 池田祐希 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其包含金属基质相和至少含有Cr2O3的氧化物相，并且含有1mol％～16mol％所述Cr2O3，所述金属基质相包含Co和Pt、Co和Cr、或者Co、Cr和Pt，该溅射靶的特征在于，作为杂质的碱金属的总量为30重量ppm以下。由于能够抑制在溅射成膜时或成膜后起源于这些杂质的斑点的形成或磁性薄膜的剥离，因此能够制造耐久性优良的磁记录介质的磁性薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性材料 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其包含金属基质相和至少含有Cr2O3的氧化物相，并且含有1mol％～16mol％所述Cr2O3，所述金属基质相包含Co和Pt、Co和Cr、或者Co、Cr和Pt，该溅射靶的特征在于，作为杂质的碱金属的总量为30重量ppm以下。
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