[发明专利]透光性导电性膜、其制造方法及其用途有效
| 申请号： | 201380003369.1 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103858182A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 滝泽守雄;白木真司;泽田石哲郎;田中治;林秀树;中谷康弘 | 申请（专利权）人： | 积水纳米涂层科技有限公司;积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B9/00;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种透光性导电性膜，其含有：(A)透光性支持层、(B)光学调整层及(C)含有氧化铟锡的透光性导电层，所述光学调整层(B)直接或经由一层以上的其它层配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，且所述透光性导电层(C)至少经由光学调整层(B)配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其特征在于，所述光学调整层(B)含有氧化锆，且厚度为0.4～3μm，且在采用薄膜法的XRD测定中，源自氧化锆的2θ＝28°附近的峰值相对于源自氧化铟锡的(222)面的峰值之比为0.1～1.0。 | ||
| 搜索关键词： | 透光 导电性 制造 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种透光性导电性膜，其包含：(A)透光性支持层；(B)光学调整层；及(C)含有氧化铟锡的透光性导电层，所述光学调整层(B)直接或隔着一层以上的其它层配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，并且，所述透光性导电层(C)至少隔着光学调整层(B)配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其中，所述光学调整层(B)含有氧化锆，且厚度为0.4～3μｍ，并且，在采用薄膜法进行的XRD测定中，源自氧化锆的2θ＝28°附近的峰值与源自氧化铟锡的(222)面的峰值之比为0.1～1.0。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积水纳米涂层科技有限公司;积水化学工业株式会社，未经积水纳米涂层科技有限公司;积水化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380003369.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电气设备的导轨安装装置以及热力过载继电器
- 下一篇：一种线路板碳油印刷工艺
