[发明专利]透光性导电性膜、其制造方法及其用途

说明书

技术领域

本发明涉及透光性导电性膜、其制造方法及其用途。

背景技术

作为搭载于触摸面板上的透光性导电性膜，大多使用下述透光性导电性膜，所述透光性导电性膜在由塑料等制成的透光性支持层的至少一面上直接或隔着其它层配置有含有氧化铟的透光性导电层。

将这些透光性导电性膜用作电极而构成触摸面板的情况下，需要同时满足各种特性要求。作为这样的特性要求，已知如下特性。

有时将透光性导电层配置成网格状电极，但从用户方向观察时可以识别该网格状构造，此时，作为触摸面板的识别性被损坏，因此不优选。另外，有时将消除了这种现象的情况称为“折射率匹配性良好”。

另外，在组装透光性导电性膜来制造触摸面板的过程中，透光性导电性膜被暴露在规定的化学药品处理中。因此，存在耐化学药品性不好的透光性导电性膜因制造工序中的化学药品处理而受到损伤的问题。

另外，成型为例如上述具有网格状等的电极时，对于透光性导电层进行所谓的蚀刻处理，该蚀刻处理是通过化学药品处理只除去透光性导电层的规定区域，从而形成期望形状的电极。因此，存在如下问题，即：难以通过蚀刻处理被蚀刻(即，难以除去期望区域的透光性导电层)的透光性导电性膜，在制造触摸面板的过程中生产效率变差，容易过度蚀刻(即，与意图相反，将与期望区域不同的区域的透光性导电层除去)的透光性导电性膜，难以将透光性导电层成型为期望的形状等。

这样，作为触摸面板上所搭载的透光性导电性膜，要求(1)折射率匹配性、(2)耐化学药品性及(3)蚀刻性均优异的透光性导电性膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2010-6647号公报

专利文献2：(日本)特开2007-42284号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的课题在于，对含有(A)透光性支持层、(B)光学调整层及(C)含有氧化铟的透光性导电层的透光性导电性膜，改善其(1)折射率匹配性、(2)耐化学药品性及(3)蚀刻性的平衡。

用于解决课题的方法

本发明人等经过反复深入研究首次发现，采用含有氧化锆且厚度为0.4～3_μm的光学调整层(B)，且就薄膜整体而言，在采用薄膜法的XRD测定中，使源自氧化锆的2θ＝28°附近的峰值与源自氧化铟的(222)面的峰值之比为0.1～1.0，由此可以解决上述技术问题。本发明是基于上述新的见解经过各种研究而完成的，以下阐述本发明。

第一项：

一种透光性导电性膜，其包含：

(A)透光性支持层；

(B)光学调整层；及

(C)含有氧化铟锡的透光性导电层，

所述光学调整层(B)直接或隔着一层以上的其它层配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，并且，

所述透光性导电层(C)至少隔着光学调整层(B)配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其中，

所述光学调整层(B)含有氧化锆，且厚度为0.4～3μｍ，并且，

在采用薄膜法进行的XRD测定中，源自氧化锆的2θ＝28°附近的峰值与源自氧化铟锡的(222)面的峰值之比为0.1～1.0。

第二项：

如第一项所述的透光性导电性膜，其中，所述光学调整层(B)的与透光性支持层(A)相反侧的面的平均表面粗糙度Ra为0.4～2.0nm。

第三项：

如第一项或第二项所述的透光性导电性膜，其中，所述氧化锆的平均粒径为10～40nm。

第四项：

如第一项～第三项中任一项所述的透光性导电性膜，其中，所述透光性导电层(C)包括含有氧化铟的粒子，该粒子的平均粒径为3.0～8.0nm。

第五项：

如第一项～第四项中任一项所述的透光性导电性膜，其中，所述透光性导电层(C)可以通过在大气中90～160℃下对含有氧化铟锡的层加热10～120分钟来得到。

第六项：

如第一项～第五项中任一项所述的透光性导电性膜，其中，透光性导电层(C)含有氧化铟锡。

第七项：

一种触摸面板，其含有第一项～第六项中任一项所述的透光性导电性膜。

发明效果

根据本发明，能够提供含有(A)透光性支持层、(B)光学调整层及(C)含有氧化铟的透光性导电层的透光性导电性膜，其(1)折射率匹配性、(2)耐化学药品性及(3)蚀刻性的平衡得到改善。

附图说明