[发明专利]透光性导电性膜、其制造方法及其用途有效
| 申请号： | 201380003369.1 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103858182A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 滝泽守雄;白木真司;泽田石哲郎;田中治;林秀树;中谷康弘 | 申请（专利权）人： | 积水纳米涂层科技有限公司;积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B9/00;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透光 导电性 制造 方法 及其 用途 | ||
【权利要求书】：
1.一种透光性导电性膜，其包含：
(A)透光性支持层；
(B)光学调整层；及
(C)含有氧化铟锡的透光性导电层，
所述光学调整层(B)直接或隔着一层以上的其它层配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，并且，
所述透光性导电层(C)至少隔着光学调整层(B)配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其中，
所述光学调整层(B)含有氧化锆，且厚度为0.4～3μｍ，并且，
在采用薄膜法进行的XRD测定中，源自氧化锆的2θ＝28°附近的峰值与源自氧化铟锡的(222)面的峰值之比为0.1～1.0。
2.如权利要求1所述的透光性导电性膜，其中，
所述光学调整层(B)的与透光性支持层(A)相反侧的面的平均表面粗糙度Ra为0.4～2.0nm。
3.如权利要求1或2所述的透光性导电性膜，其中，
所述氧化锆的平均粒径为10～40nm。
4.如权利要求1～3中任一项所述的透光性导电性膜，其中，
所述氧化铟锡的平均粒径为3.0～8.0nm。
5.如权利要求1～4中任一项所述的透光性导电性膜，其中，
所述透光性导电层(C)可以通过在大气中90～160℃下对含有氧化铟锡的层加热10～120分钟来得到。
6.一种触摸面板，其包含权利要求1～5中任一项所述的透光性导电性膜。
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