[实用新型]一种提高倒装LED侧面出光的结构有效
| 申请号： | 201320871818.1 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203674262U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王义虎;甄珍珍;李珅;李晓波;王静辉;肖国华;孟丽丽;张东琳 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高倒装LED侧面出光的结构，尤其涉及半导体元件结构设计领域。LED芯片结构从上至下依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，其特征在于所述N型半导体层、发光层和P型半导体层右侧为倾斜面，所述N型半导体层左侧为倾斜面，所述N型金属电极和P型金属电极底端连接有散热基板。将LED芯片刻蚀成梯形，并倒装在基板上，形成具有一定倾斜角度的LED芯片，提高了LED的侧面出光，从而提高了光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 倒装 led 侧面 结构 | ||
【主权项】：
一种提高倒装LED侧面出光的结构，LED芯片结构从上至下依次为蓝宝石衬底（2）、N型半导体层（3）、发光层（4）、P型半导体层（5）和电流扩展层（6），N型金属电极（8）连接N型半导体层（3），P型金属电极（7）连接电流扩展层（6），其特征在于：所述N型半导体层（3）、发光层（4）和P型半导体层（5）右侧为倾斜面，所述N型半导体层（3）左侧为倾斜面，所述N型金属电极（8）和P型金属电极（7）底端连接有散热基板（1）。
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