[实用新型]缺陷标准片有效
| 申请号： | 201320804370.1 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN203631494U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴浩;李鹤鸣;杨瑞海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提出了一种缺陷标准片，用于监测缺陷扫描机台的稳定性和精度，包括：设有M个缺陷区域的半导体衬底，形成于缺陷区域上的N层隔离层以及分别形成在第一层隔离层的第一个缺陷区域、第二层隔离层的第二个缺陷区域、第N层隔离层的第M个缺陷区域的多个缺陷。将缺陷分布在不同隔离层的不同缺陷区域上，由于缺陷的分布呈阶梯型，在对缺陷扫描机台进行稳定性以及精度检测时，本实用新型提出的缺陷标准片较之现有技术中单一平面分布对缺陷扫描机台的精度要求更高，因此能够十分灵敏的监测缺陷扫描机台的稳定性以及精度。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 标准 | ||
【主权项】：
一种缺陷标准片，用于监测缺陷扫描机台的稳定性和精度，其特征在于，所述缺陷标准片包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括M个缺陷区域；N层隔离层，所述隔离层层叠于所述缺陷区域上，每一隔离层均具有M个缺陷区域；多个缺陷，所述缺陷分别形成在第一层隔离层的第一个缺陷区域、第二层隔离层的第二个缺陷区域、第N层隔离层的第M个缺陷区域；其中，N和M均为正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
