[实用新型]一种可控硅控制电路有效
| 申请号： | 201320783733.8 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN203661019U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 苏丹;周钰 | 申请（专利权）人： | 天津市盛丹电子技术发展有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300040 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种可控硅控制电路，其技术特点是：包括触发二极管D1、可控硅BG1、调节电位器W1、微调电位器W2，大功率负载RT和一些电阻、电容。可控硅BG1与电阻R1、R2及大功率负载连接，可控硅BG1另一端与电容C1、C2及220V电源N端连接，可控硅BG1触发端与触发二极管一端连接，触发二极管另一端与C1另一端连接、同时与电位器W1、W2连接、电位器W1、W2另一端与他们的活动端相连接、还与电阻R1的另一端相连接，大功率负载RT的另一端与220V电源的L端相连接。本实用新型设计合理，具有结构简单、功耗低、性能稳定可靠的特点，可广泛用于各种需要可控硅控制电路应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 控制电路 | ||
【主权项】：
一种可控硅控制电路，其特征在于：包括触发二极管D1、可控硅BG1、调节电位器W1、微调电位器W2，大功率负载RT和一些电阻、电容，可控硅BG1与电阻R1、R2及大功率负载连接，可控硅BG1另一端与电容C1、C2及220V电源N端连接，可控硅BG1触发端与触发二极管一端连接，触发二极管另一端与C1另一端连接、同时与电位器W1、W2连接、电位器W1、W2另一端与他们的活动端相连接、还与电阻R1的另一端相连接，大功率负载RT的另一端与220V电源的L端相连接。
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