[实用新型]一种多晶硅的制备装置有效
| 申请号： | 201320779507.2 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN203639163U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王俊;叶鑫鑫;李鹏飞;马文 | 申请（专利权）人： | 内蒙古工业大学 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010051 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多晶硅的制备装置，它包含第一加热区，该第一加热区的一侧安装有Zn丝自动输入设备，其另一侧设有与之相连通的第二加热区，所述第二加热区的另一侧与第三加热区相连通，该第三加热区的另一侧与第四加热区相连通，所述的第二加热区和第三加热区的中部分别轴向设有加热腔，该内加热腔的内壁上设有加热层，所述第二加热区上安装有与其内部加热腔连通的SiCl4液体的输入管。本实用新型结构简单，操作方便，通过利用高纯度的SiCl4和Zn可以制备高纯度的多晶硅材料，且通过分区控制温度不仅可以更好的优化多晶硅的制备条件，还可以回收反应生成的废气供再利用，提高能源的利用率，大大降低多晶硅的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 制备 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅的制备装置，其特征在于它包含第一加热区(2)，该第一加热区(2)的一侧安装有Zn丝自动输入设备(1)，其另一侧设有与之相连通的第二加热区(3)，所述第二加热区(3)的另一侧与第三加热区(8)相连通，该第三加热区(8)的另一侧与第四加热区(9)相连通，所述的第二加热区(3)和第三加热区(8)的中部分别轴向设有加热腔，该内加热腔的内壁上设有加热层(6)，所述第二加热区(3)上安装有与其内部加热腔连通的SiCl4液体的输入管(4)，所述第四加热区(9)内设有石英管(14)，该石英管(14)的中部与第三加热区(8)内的加热腔相连通，所述石英管(14)内设有废气排气管(11)，该废气排气管(11)的一端穿过石英管(14)和第四加热区(9)与废气回收管(10)相连，所述石英管(14)的下端安装有与其相连通的多晶硅回收管(12)，该多晶硅回收管(12)的另一端延伸出石英管(14)和第四加热区(9)。
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