[实用新型]处理多晶硅还原尾气的系统有效
| 申请号： | 201320704666.6 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN203598659U | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 司文学;汪绍芬;严大洲;肖荣晖;汤传斌;杨永亮 | 申请（专利权）人： | 中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/00 | 分类号： | B01D53/00;B01D53/18;B01D53/14;B01D53/02;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100038*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种处理多晶硅还原尾气的系统，该系统包括：淋洗装置，该淋洗装置用于对多晶硅还原尾气进行淋洗，以便获得经过淋洗的还原尾气和氯硅烷；压缩冷却装置，该压缩冷却装置与淋洗装置相连，用于将经过淋洗的还原尾气进行压缩冷却处理，以便获得氯硅烷和压缩后气；吸附-脱吸装置，该吸附-脱吸装置与压缩冷却装置相连，用于将压缩后气与吸附剂接触，以便从压缩后气中分离氢气和吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂，并且用于将吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂进行脱吸处理，以便获得脱附再生气，其中，脱附再生气包含氯化氢和氯硅烷。根据本实用新型实施例的处理多晶硅还原尾气的系统操作稳定、能耗低，进而能够显著降低投资和运行成本。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 多晶 还原 尾气 系统 | ||
【主权项】：
一种处理多晶硅还原尾气的系统，其特征在于，包括： 淋洗装置； 压缩冷却装置，所述压缩冷却装置与所述淋洗装置相连；以及 吸附‑脱吸装置，所述吸附‑脱吸装置与所述压缩冷却装置相连。
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