[实用新型]处理多晶硅还原尾气的系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体而言，本实用新型涉及处理多晶硅还原尾气的系统。

背景技术

由于近些年西门子法工艺生产多晶硅流程的不断完善，干法回收的系统也得到了不断的发展，人们开始综合其它工序来改进干法回收系统。然而，改进的干法回收系统仍然存在冷量消耗大，运行成本高等问题。现有的干法回收系统还有待进一步的改良。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种流程简单、操作稳定和能耗低的处理多晶硅还原尾气的系统。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种处理多晶硅还原尾气的系统，根据本实用新型的实施例，包括：淋洗装置，所述淋洗装置为上述所述的淋洗装置，用于对多晶硅还原尾气进行淋洗，以便获得经过淋洗的还原尾气和氯硅烷；压缩冷却装置，所述压缩冷却装置与所述淋洗装置相连，用于将所述经过淋洗的还原尾气进行压缩冷却处理，以便获得氯硅烷和压缩后气，并将所述氯硅烷返回至所述淋洗装置，用于利用所述氯硅烷对所述还原尾气进行淋洗；吸附-脱吸装置，所述吸附-脱吸装置与所述压缩冷却装置相连，用于将所述压缩后气与吸附剂接触，以便从所述压缩后气中分离氢气和吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂，并且用于将所述吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂进行脱吸处理，以便获得脱附再生气，其中，所述脱附再生气包含氯化氢和氯硅烷。根据本实用新型实施例的处理多晶硅还原尾气的系统运行稳定，可以显著降低能耗，进而降低投资和运行成本。

另外，根据本实用新型上述实施例的处理多晶硅还原尾气的系统还可以具有如下附加的技术特征：

优选的，所述处理多晶硅还原尾气的系统进一步包括：将所述压缩冷却装置中所产生的氯硅烷返回至所述淋洗装置，用于利用所述氯硅烷对所述还原尾气进行淋洗。由此，可以显著节省冷量的投入，以便降低投资成本。

优选的，所述处理多晶硅还原尾气的系统进一步包括：将所述淋洗装置中所产生的氯硅烷进行精馏处理。由此，可以进一步降低多晶硅还原尾气对环境的污染。

优选的，所述处理多晶硅还原尾气的系统进一步包括：氯氢化装置，所述氯氢化装置与所述吸附-脱吸装置相连，以便对所述脱附再生气进行氯氢化处理。由此，可以进一步降低运行成本。

优选的，所述处理多晶硅还原尾气的系统进一步包括：压缩装置，所述压缩装置分别与所述吸附-脱吸装置和所述氯氢化装置相连，用于在将所述脱附再生气进行氯氢化处理之前，预先将所述脱附再生气压缩至0.9～1.2MPa。由此，可以显著提高系统运行稳定性。

优选的，所述处理多晶硅还原尾气的系统中的所述淋洗装置包括：壳体，所述壳体具有位于该壳体下部的进气口、位于该壳体顶部的出气口、位于该壳体上部的进液口、位于该壳体底部的出液口和位于该壳体下部且高于所述进气口的冷凝液出口；筛板，所述筛板设在所述壳体内且位于所述进液口与所述冷凝液出口之间；液体分布器，所述液体分布器设在所述壳体内且与所述进液口相连；以及气体分布器，所述气体分布器设在所述壳体内且与所述进气口相连。根据本实用新型实施例的淋洗装置，通过在淋洗装置中设置多层筛板，可以有效提高混合气体的冷凝效率，从而大幅度降低能耗和运行成本。

优选的，所述筛板具有多个通孔，所述通孔的直径为10～20毫米。由此，可以有效防止杂质颗粒的堆积，以便进一步提高混合气体的冷凝效率。

优选的，所述筛板包括多层，所述多层筛板沿上下方向彼此间隔开设置。由此，可以进一步提高混合气体的冷凝效率。

优选的，所述筛板包括1～10层，优选为2～5层。由此，可以提高传热、传质效果，以便进一步提高混合气体的冷凝效率。

优选的，所述相邻筛板之间的距离为100～400毫米。由此，可以进一步提高混合气体的冷凝效率。

优选的，所述液体分布器的出液孔的面积之和大于所述进液口的面积。由此，可以进一步提高混合气体的冷凝效率。

优选的，所述气体分布器的出气孔的面积之和大于所述进气口的面积。由此，可以进一步提高混合气体的冷凝效率。

优选的，所述出气口内设有气液分离装置。由此，可以进一步提高混合气体的冷凝效率。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：