[实用新型]处理多晶硅还原尾气的系统有效

专利信息
申请号: 201320704666.6 申请日: 2013-11-08
公开(公告)号: CN203598659U 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 司文学;汪绍芬;严大洲;肖荣晖;汤传斌;杨永亮 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: B01D53/00 分类号: B01D53/00;B01D53/18;B01D53/14;B01D53/02;C01B33/107
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋合成
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 处理 多晶 还原 尾气 系统
【权利要求书】:

1.一种处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,包括: 

淋洗装置; 

压缩冷却装置,所述压缩冷却装置与所述淋洗装置相连;以及 

吸附-脱吸装置,所述吸附-脱吸装置与所述压缩冷却装置相连。 

2.根据权利要求1所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,进一步包括: 

将所述压缩冷却装置中所产生的氯硅烷返回至所述淋洗装置。 

3.根据权利要求1所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,进一步包括: 

精馏装置,所述精馏装置与所述淋洗装置相连。 

4.根据权利要求1所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,进一步包括: 

氯氢化装置,所述氯氢化装置与所述吸附-脱吸装置相连。 

5.根据权利要求4所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,进一步包括: 

压缩装置,所述压缩装置分别与所述吸附-脱吸装置和所述氯氢化装置相连。 

6.根据权利要求1-5中任一项所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,其中,所述淋洗装置包括: 

壳体,所述壳体具有位于该壳体下部的进气口、位于该壳体顶部的出气口、位于该壳体上部的进液口、位于该壳体底部的出液口和位于该壳体下部且高于所述进气口的冷凝液出口; 

筛板,所述筛板设在所述壳体内且位于所述进液口与所述冷凝液出口之间; 

液体分布器,所述液体分布器设在所述壳体内且与所述进液口相连;以及 

气体分布器,所述气体分布器设在所述壳体内且与所述进气口相连。 

7.根据权利要求6所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,所述筛板具有多个通孔,所述通孔的直径为10~20毫米。 

8.根据权利要求6所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,所述筛板包括多层,所述多层筛板沿上下方向彼此间隔开设置。 

9.根据权利要求8所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,所述筛板为1~10层。 

10.根据权利要求9所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,所述筛板为2~5层。 

11.根据权利要求9所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,相邻筛板之间的距离为100~400毫米。 

12.根据权利要求6所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,所述液体分布器的出液孔的面积之和大于所述进液口的面积。 

13.根据权利要求6所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,所述气体分布器的出气孔的面积之和大于所述进气口的面积。 

14.根据权利要求6所述处理多晶硅还原尾气的系统,其特征在于,所述出气口内设有气液分离装置。 

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