[实用新型]自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路有效
申请号: | 201320687640.5 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN203536941U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 薛涛;陈华聪;覃周;陈忠富;卢志飞;吕亚潮 | 申请(专利权)人: | 广州市爱浦电子科技有限公司 |
主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 汤喜友 |
地址: | 510000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路,包括:变压器、MOS管、限流电阻、辅助线圈、PNP型三极管及NPN型三极管,辅助线圈依次经电容C3和电阻R5连接至MOS管的栅极,电压输入端Vin+依次经过电阻R1及电阻R101接地,MOS管的栅极连接基准源芯片的阴极连接端,该基准源芯片的阳极连接端接地,该基准源芯片的基准压连接端连接至电阻R1和电阻R101的连接点上。通过加入电阻R1、电阻R101及基准电压源,可以很好的控制电压输入端的过压点,在电压输入端出现浪涌电压或异常高压时能够及时准确地把MOS管的栅极电压拉低,快速关断电路的输出,保护整个系统电路的正常工作。 | ||
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【主权项】:
自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路,包括:变压器T1、MOS管及限流电阻R9,电压输入端Vin+依次经过变压器T1的原边线圈、MOS管的漏极和源极、限流电阻R9接地,变压器T1副边线圈上的耦合能量依次经过整流管D2及储能滤波电容C10向电压输出端Vo输出,电压输入端Vin+还经过一分压电路向MOS管的栅极供电,其特征在于,还包括:与变压器T1耦合的辅助线圈T2、PNP型三极管Q2及NPN型三极管Q3,辅助线圈一端接地另一端依次经一电容C3和电阻R5连接至MOS管的栅极,MOS管栅极依次经过一电阻R6、一电阻R7、NPN型三极管Q3的集电极和发射极接地,辅助线圈的所述另一端经过一电容C5连接NPN型三极管Q3的基极,NPN型三极管Q3的基极通过一电阻R8连接MOS管的源极,PNP型三极管的发射极连接MOS管的栅极,PNP型三极管的集电极连接MOS管的源极,PNP型三极管Q2的基极连接在电阻R6和电阻R7的连接点上,MOS管的源极与NPN型三极管Q3之间连接一电容C6,电压输入端Vin+依次经过一电阻R1及一电阻R101接地,MOS管的栅极连接一基准源芯片的阴极连接端,该基准源芯片的阳极连接端接地,该基准源芯片的基准压连接端连接至电阻R1和电阻R101的连接点上。
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