[实用新型]自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路有效
| 申请号： | 201320687640.5 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN203536941U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 薛涛;陈华聪;覃周;陈忠富;卢志飞;吕亚潮 | 申请（专利权）人： | 广州市爱浦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 振荡 激变 高精度 输入 保护 电路 | ||
1.自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路，包括：变压器T1、MOS管及限流电阻R9，电压输入端Vin+依次经过变压器T1的原边线圈、MOS管的漏极和源极、限流电阻R9接地，变压器T1副边线圈上的耦合能量依次经过整流管D2及储能滤波电容C10向电压输出端Vo输出，电压输入端Vin+还经过一分压电路向MOS管的栅极供电，其特征在于，还包括：与变压器T1耦合的辅助线圈T2、PNP型三极管Q2及NPN型三极管Q3，辅助线圈一端接地另一端依次经一电容C3和电阻R5连接至MOS管的栅极，MOS管栅极依次经过一电阻R6、一电阻R7、NPN型三极管Q3的集电极和发射极接地，辅助线圈的所述另一端经过一电容C5连接NPN型三极管Q3的基极，NPN型三极管Q3的基极通过一电阻R8连接MOS管的源极，PNP型三极管的发射极连接MOS管的栅极，PNP型三极管的集电极连接MOS管的源极，PNP型三极管Q2的基极连接在电阻R6和电阻R7的连接点上，MOS管的源极与NPN型三极管Q3之间连接一电容C6，电压输入端Vin+依次经过一电阻R1及一电阻R101接地，MOS管的栅极连接一基准源芯片的阴极连接端，该基准源芯片的阳极连接端接地，该基准源芯片的基准压连接端连接至电阻R1和电阻R101的连接点上。
2.如权利要求1所述的自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路，其特征在于，电阻R1上并联一滤波电容C101。
3.如权利要求1或2所述的自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路，其特征在于，所述分压电路包括：依次串联的电阻R2、电阻R3和电阻R4，电压输入端Vin+依次经过电阻R2、电阻R3和电阻R4接地，电阻R3和电阻R4的连接点连接至MOS管的栅极。
4.如权利要求1或2所述的自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路，其特征在于，电压输入端Vin+经过一电容C1接地。
5.如权利要求1或2所述的自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路，其特征在于，储能滤波电容C10经过一电感L1向电压输出端Vo输出。
6.如权利要求1或2所述的自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路，其特征在于，还包括一光耦反馈回路，光耦反馈回路检测储能滤波电容C10上的电压并反馈至NPN型三极管Q3的基极。
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