[实用新型]自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及开关电源变换器技术领域，具体涉及一种自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路。 

背景技术

自振荡反激变换器包括耦合变压器、场效应管、振荡晶极管，当输入电压端加上电压后，并产生自激振荡工作后，电路会进行反激。现有的自振荡反激变换器在输入电压端的电压较高时，尤其是电压刚输入的瞬间，在电压输入端上容易产生一个很大的瞬时电流尖峰，使晶体管瞬时导通，这一瞬时电流尖峰就有可能使晶体管被击穿，同时加在管子上的过高电压也会使晶体管损坏，也就会造成产品启动不良的问题。 

实用新型内容

本实用新型提供一种自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路，能够解决上述问题。 

本实用新型实施例提供的一种自振荡反激变换器的高精度输入过压保护电路，包括：变压器T1、MOS管及限流电阻R9，电压输入端Vin+依次经过变压器T1的原边线圈、MOS管的漏极和源极、限流电阻R9接地，变压器T1副边线圈上的耦合能量依次经过整流管D2及储能滤波电容C10向电压输出端Vo输出，电压输入端Vin+还经过一分压电路向MOS管的栅极供电，还包括：与变压器T1耦合的辅助线圈T2、PNP型三极管Q2及NPN型三极管Q3，辅助线圈一端接地另一端依次经一电容C3和电阻R5连接至MOS管的栅极，MOS管栅极依次经过一电阻R6、一电阻R7、NPN型三极管Q3的集电极和发射极接地，辅助线圈的所述另一端经过一电容C5连接NPN型三极管Q3的基极，NPN型三极管Q3的基极通过一电阻R8连接MOS管的源极，PNP型三极管的发射极连接MOS管的栅极，PNP型三极管的集电极连接MOS管的源极，PNP型三极管Q2的基极连接在电阻R6和电阻R7的连接点上，MOS管的源极与NPN型三极管Q3之间连接一电容C6，电压输入端Vin+依次经过一电阻R1及一电阻R101接地，MOS管的栅极连接一基准源芯片的阴极连接端，该基准源芯片的阳极连接端接地，该基准源芯片的基准压连接端连接至电阻R1和电阻R101的连接点上。 

优选地，电阻R1上并联一滤波电容C101。 

优选地，所述分压电路包括：依次串联的电阻R2、电阻R3和电阻R4，电压输入端Vin+依次经过电阻R2、电阻R3和电阻R4接地，电阻R3和电阻R4的连接点连接至MOS管的栅极。 

优选地，电压输入端Vin+经过一电容C1接地。 

优选地，储能滤波电容C10经过一电感L1向电压输出端Vo输出。 

优选地，还包括一光耦反馈回路，光耦反馈回路检测储能滤波电容C10上的电压并反馈至NPN型三极管Q3的基极。 

上述技术方案可以看出，相对于现有的自振荡反激变换器，本实用新型实施例中的自振荡反激变换器能够在输入电压端存在过高电压时把MOS管的栅极电压拉低，从而关断电路输出，有效的保证了电路安全工作，而且电路工作稳定，可靠性高。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。 

图1是本实用新型实施例中电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例：