[实用新型]离子源绝缘体的清洗保护结构有效

专利信息
申请号: 201320640540.7 申请日: 2013-10-17
公开(公告)号: CN203542394U 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 顾炜;卓红标 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: B24C9/00 分类号: B24C9/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 殷晓雪
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种离子源绝缘体的清洗保护结构,包括:——圆环形的顶面,其外径等于或略大于离子源绝缘体的密封面的外径,其内径等于或略小于离子源绝缘体的密封面的内径;在该顶面上分布有一个或多个定位孔,这些定位孔的位置对应于离子源绝缘体的密封面上的定位螺孔,这些定位孔的大小等于或略大于离子源绝缘体的密封面上的定位螺孔的大小。——圆柱面形状的外侧面,沿着顶面的外径垂直向下延伸。——圆柱面形状的内侧面,沿着顶面的内径垂直向下延伸。本申请离子源绝缘体的清洗保护结构可以对离子源绝缘体的密封面加以保护,从而采用喷砂工艺进行清洗,具有清洗的速度快、效果好的特点。
搜索关键词: 离子源 绝缘体 清洗 保护 结构
【主权项】:
一种离子源绝缘体的清洗保护结构,其特征是,包括: ——圆环形的顶面,其外径等于或略大于离子源绝缘体的密封面的外径,其内径等于或略小于离子源绝缘体的密封面的内径;在该顶面上分布有一个或多个定位孔,这些定位孔的位置对应于离子源绝缘体的密封面上的定位螺孔,这些定位孔的大小等于或略大于离子源绝缘体的密封面上的定位螺孔的大小; ——圆柱面形状的外侧面,沿着顶面的外径垂直向下延伸; ——圆柱面形状的内侧面,沿着顶面的内径垂直向下延伸。 
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