[实用新型]离子源绝缘体的清洗保护结构

说明书

技术领域

本申请涉及一种离子注入设备的清洗保护结构。

背景技术

离子注入设备通常由五个部分组成，分别是：离子源、引出电极（吸极）和离子分析器、加速管、扫描系统、工艺室。

其中，离子源10和吸极20通常被放置在同一个真空腔30中，如图1所示。离子源10从气态或固态杂质中产生正离子，吸极20利用负高压电场把正离子的离子束从该真空腔30中引出。该真空腔30的壳体有一部分是由绝缘材料制造的环形结构，称为离子源绝缘体31。该离子源绝缘体31的环形的密封面310与底板32之间通过环形的密封圈33进行密封，以确保该真空腔30内部的真空度。

离子注入设备在长时间工作后，离子源绝缘体31的内侧表面会产生生成物。当生成物累积到一定程度后就会影响离子源绝缘体31的绝缘性，容易造成真空腔30内部放电，甚至引起短路。所以该离子源绝缘体31需要经常拆卸下来进行清洗，以保证离子注入设备的正常作业。

用于设备清洗的喷砂工艺具有清洗速度快、清洗效果好的特点，然而离子源绝缘体31却不能采用喷砂工艺。这是由于其密封面310一旦接触到砂粒就会产生凹坑，这将导致离子源绝缘体31与底板32之间的密封性能受损，从而使得真空腔30的真空度受影响。因此，目前只有采用人工方式清洗离子源绝缘体31。人工清洗不仅速度慢（需要3个小时），而且清洗效果不理想，一些顽固的生成物难以去除干净，导致离子源绝缘体31的绝缘性能降低，存在真空腔30内部放电的风险。

实用新型内容

本申请所要解决的技术问题是提供一种离子注入设备中的离子源绝缘体在进行清洗时的保护结构，可以提高对离子源绝缘体的清洗质量和使用周期，并缩短清洗时间。

为解决上述技术问题，本申请离子源绝缘体的清洗保护结构包括：

——圆环形的顶面，其外径等于或略大于离子源绝缘体的密封面的外径，其内径等于或略小于离子源绝缘体的密封面的内径；在该顶面上分布有一个或多个定位孔，这些定位孔的位置对应于离子源绝缘体的密封面上的定位螺孔，这些定位孔的大小等于或略大于离子源绝缘体的密封面上的定位螺孔的大小；

——圆柱面形状的外侧面，沿着顶面的外径垂直向下延伸。

——圆柱面形状的内侧面，沿着顶面的内径垂直向下延伸。

进一步地，所述顶面、外侧面、内侧面均为橡胶材料。

进一步地，所述外侧面、内侧面的高度设为1～10mm。

进一步地，所述外侧面、内侧面的高度设为4～6mm。

进一步地，所述清洗保护结构的外侧面与离子源绝缘体的外侧面之间采用过盈配合，所述清洗保护结构的内侧面与离子源绝缘体的内侧面之间也采用过盈配合。

本申请离子源绝缘体的清洗保护结构可以对离子源绝缘体的密封面加以保护，从而采用喷砂工艺进行清洗，具有清洗的速度快、效果好的特点。

附图说明

图1是离子注入设备的离子源和吸极位于同一真空腔的结构示意图；

图2是本申请离子源绝缘体的清洗保护结构的整体示意图；

图3是本申请离子源绝缘体的清洗保护结构的顶面51的示意图。

图中附图标记说明：

10为离子源；20为吸极；30为真空腔；31为离子源绝缘体；310为密封面；32为底板；33为密封圈；51为顶面；510为定位孔；52为外侧面；53为内侧面。

具体实施方式

请参阅图2和图3，本申请离子源绝缘体的清洗保护结构包括：

——圆环形的顶面51，其外径等于或略大于离子源绝缘体31的密封面310的外径，其内径等于或略小于离子源绝缘体31的密封面310的内径。在该顶面51上分布有一个或多个定位孔510，这些定位孔510的位置对应于离子源绝缘体31的密封面310上的定位螺孔的位置，这些定位孔510的大小等于或略大于离子源绝缘体31的密封面310上的定位螺孔的大小。这些定位螺孔原本用于将底板32和离子源绝缘体31的密封面310进行固定。

——圆柱面形状的外侧面52，沿着顶面51的外径垂直向下延伸。

——圆柱面形状的内侧面53，沿着顶面51的内径垂直向下延伸。

所述顶面51、外侧面52、内侧面53优选为橡胶材料，并一体成型地制造。