[实用新型]离子源绝缘体的清洗保护结构有效

专利信息
申请号: 201320640540.7 申请日: 2013-10-17
公开(公告)号: CN203542394U 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 顾炜;卓红标 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: B24C9/00 分类号: B24C9/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 殷晓雪
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 离子源 绝缘体 清洗 保护 结构
【权利要求书】:

1.一种离子源绝缘体的清洗保护结构,其特征是,包括: 

——圆环形的顶面,其外径等于或略大于离子源绝缘体的密封面的外径,其内径等于或略小于离子源绝缘体的密封面的内径;在该顶面上分布有一个或多个定位孔,这些定位孔的位置对应于离子源绝缘体的密封面上的定位螺孔,这些定位孔的大小等于或略大于离子源绝缘体的密封面上的定位螺孔的大小; 

——圆柱面形状的外侧面,沿着顶面的外径垂直向下延伸; 

——圆柱面形状的内侧面,沿着顶面的内径垂直向下延伸。 

2.根据权利要求1所述的离子源绝缘体的清洗保护结构,其特征是,所述顶面、外侧面、内侧面均为橡胶材料。 

3.根据权利要求1所述的离子源绝缘体的清洗保护结构,其特征是,所述外侧面、内侧面的高度设为1~10mm。 

4.根据权利要求3所述的离子源绝缘体的清洗保护结构,其特征是,所述外侧面、内侧面的高度设为4~6mm。 

5.根据权利要求1所述的离子源绝缘体的清洗保护结构,其特征是,所述清洗保护结构的外侧面与离子源绝缘体的外侧面之间采用过盈配合,所述清洗保护结构的内侧面与离子源绝缘体的内侧面之间也采用过盈配合。 

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