[实用新型]阵列基板及显示装置

摘要

实用新型提供一种阵列基板及显示装置，包括：衬底基板；形成于衬底基板上的栅极；形成于栅极上的栅极绝缘层，栅极绝缘层上设有栅极绝缘层过孔；形成于栅极绝缘层上的像素电极、第一透明导电部和第二透明导电部；分别设置于第一透明导电部、第二透明导电部上的源电极和漏电极；形成于源电极和漏电极之上的掺杂半导体层；形成于掺杂半导体层之上的有源层，有源层仅设置在构成TFT沟道区域的漏电极和源电极相对应的位置，形成TFT沟道；形成于有源层之上的钝化层，设置有钝化层过孔，在钝化层过孔和栅极绝缘层过孔内设置有电性连接部。本实用新型的阵列基板其制作方法可以减少制程，提高产品品质。

主权项

一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；形成于所述衬底基板之上的栅极；形成于所述栅极之上，并覆盖整个所述衬底基板的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设有栅极绝缘层过孔，且所述栅极绝缘层过孔处于至少一部分所述栅极的上方；形成于所述栅极绝缘层之上的像素电极；与所述像素电极同层设置的第一透明导电部；与所述像素电极同层设置的第二透明导电部，所述第二透明导电部与所述第一透明导电部分别位于所述栅极的两侧的位置；设置于所述第一透明导电部之上的源电极；设置于所述第二透明导电部之上，并与所述源电极同层设置的漏电极，所述源电极和所述漏电极分别位于所述栅极的两侧的位置，其中一部分所述源电极和所述漏电极之间形成TFT沟道区域，另一部分所述源电极和所述漏电极之间设置所述栅极绝缘层过孔；分别形成于所述源电极和所述漏电极之上的掺杂半导体层；形成于所述掺杂半导体层之上的半导体层，其中所述半导体层仅设置在构成所述TFT沟道区域的所述漏电极和所述源电极相对应的位置，形成TFT沟道；形成于所述半导体层之上的钝化层，其中所述钝化层在与所述栅极绝缘层过孔相对应的位置处设置有钝化层过孔，且所述钝化层过孔与所述栅极绝缘层过孔相贯通，且在所述钝化层过孔和所述栅极绝缘层过孔内设置有用于将所述栅极与所述源电极、所述漏电极中的至少一个进行电性连接的电性连接部。