[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是一种主要的平板显示装置。现有的阵列基板（Array Substrate）包括：栅线、数据线、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称为TFT)以及像素电极。栅线横向设置在衬底基板上，数据线纵向设置在衬底基板之上，栅线与数据线的交叉处设置有TFT。TFT为有源开关元件。

如图1所示，现有的阵列基板包括：栅极10、栅绝缘层20、有源层30、源电极50、漏电极60、钝化层70。上述结构皆设置于衬底基板80上。其中栅极10与栅线一体成型，源电极50、漏电极60与数据线一体成型，漏电极60与像素电极90电连接。当栅线中输入导通信号时，有源层30导电，数据线的数据信号可从源电极50经TFT沟道31到达漏电极60，最终输入至像素电极90。像素电极90得到信号后与公共电极91形成用于驱动液晶转动的电场。

目前为了适应更高的集成度，高PPI产品已经成为显示的主流，但就此产品而言，制备高PPI的产品要求较高，需要7次构图工艺形成结构图形来完成，因为这样才能集成GOA技术（GOA技术即Gate Driver on Array（阵列基板行驱动技术），是直接將栅极驱动电路(Gate driver ICs)制作在阵列基板上，來代替由外接矽晶片制作的驱晶片一种技术。该技术的应用可直接做在面板周围，減少制作程序，且降低产品成本，提高TFT-LCD面板的高集成度，使面板能更薄型化）以及过孔制备的足够小。每一次构图工艺中又分别包括掩膜曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，其中刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀，所以构图工艺的次数可以衡量制造TFT-LCD阵列基板的繁简程度，减少构图工艺的次数就意味着制造成本的降低。

传统的ADS模式的TFT-LCD阵列基板的制程如图3所示。ADSDS（简称ADS，ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术）。ADS是京东方自主创新的以宽视角技术为代表的核心技术统称。是平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。首先，通过第一次构图工艺在玻璃基板（glass）上形成栅线；然后，沉积栅绝缘层20和有源层30，通过第二次构图工艺形成有源层30图形；然后，沉积像素电极，通过第三次构图工艺形成像素电极；然后，在栅绝缘层20上通过第四次构图工艺形成过孔（GI过孔）；然后，沉积金属层，通过第五次构图工艺形成信号线和有源层30图形，其中信号线通过GI过孔与栅线实现导通，并且在沟道区域形成信号线和有源层30的图形；然后，沉积钝化层（PVX），并通过第六次构图工艺形成钝化层过孔；最后，沉积导电层，并通过第七次构图工艺形成公共电极，由此，共七次掩膜版工艺来完成阵列基板的结构图形。

由此可见，目前对于TFT-LCD阵列基板制程来说，当制备高PPI并且包含GOA的产品时，为了布线密集等因素往往在制备过程中采用7mask制备，故常常由于mask较多产量得不到提升；并且，现有TFT-LCD阵列基板中沟道的形成是利用刻蚀形成的，往往由于刻蚀过程中工艺和设备等原因造成沟道不良，而且此种不良在产线中经常高发，影响产品品质。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种阵列基板及显示装置，能够减少制程，提高产品品质。

本实用新型所提供的技术方案如下：

一种阵列基板，包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板之上的栅极；

形成于所述栅极之上，并覆盖整个所述衬底基板的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设有栅极绝缘层过孔，且所述栅极绝缘层过孔处于至少一部分所述栅极的上方；

形成于所述栅极绝缘层之上的像素电极；

与所述像素电极同层设置的第一透明导电部；

与所述像素电极同层设置的第二透明导电部，所述第二透明导电部与所述第一透明导电部分别位于所述栅极的两侧的位置；