[实用新型]一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构

摘要

一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构，其特征在于梁—单岛双面双片微结构：上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻，浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘；上芯片背面，相对于浅槽部位，剩余膜片厚度与中心方形支撑相连，即为单硬芯形敏感膜片；下芯片正面除周边封接面外是过压截止槽，中心有引压通孔；上、下芯片由硅橡胶密封后，经划片分割后形成单个微压传感器芯片。效果：本芯片结构的传感器压力量程仅为1KPa，因梁结构的应力集中效应，1KPa压力时灵敏度输出达到20mV/1KPa(1mA激励）,线性度达到0.05%FS.采用了用双抛硅单晶片代替封接玻璃，高强度密封胶在室温下粘接固化实现了无应力封接；当上芯片承受高倍过载时，硬芯形敏感膜片向下弯曲触在浅槽上而截止，这种结构实现了抗50倍过压的保护。

主权项

一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构，芯片采用双面抛光的硅基片，其特征在于结构特征：上芯片(1)双面加工出的微结构：即正面“I”形梁结构，背面单硬芯膜片结构；上芯片(1)正面腐蚀形成的“回”字形浅槽(3)，并留下2个“I”形梁(4)，对称分隔“回”字，“I”形梁(4)上各有2个“U”形压力敏感电阻(2)，浅槽(3)外周为铝电极引线及引线焊盘(5)；在上芯片(1)背面，相对于正面浅槽(3)部位有膜片与中心方形支撑相连，即为单硬芯形敏感膜片(7)；下芯片上过压截止槽和引压孔微结构：下芯片(8)正面周边封接面是过压截止槽(9)，在背面中心有通孔作为引压孔(10)；上芯片(1)的下表面与下芯片(8)上表面由密封硅橡胶层(11)密封后，经划片分割后形成单个微压传感器芯片。