[实用新型]一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构

权利要求书

1.一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构，芯片采用双面抛光的硅基片，其特征在于结构特征：上芯片(1)双面加工出的微结构：即正面“I”形梁结构，背面单硬芯膜片结构；上芯片(1)正面腐蚀形成的“回”字形浅槽(3)，并留下2个“I”形梁(4)，对称分隔“回”字，“I”形梁(4)上各有2个“U”形压力敏感电阻(2)，浅槽(3)外周为铝电极引线及引线焊盘(5)；在上芯片(1)背面，相对于正面浅槽(3)部位有膜片与中心方形支撑相连，即为单硬芯形敏感膜片(7)；下芯片上过压截止槽和引压孔微结构：下芯片(8)正面周边封接面是过压截止槽(9)，在背面中心有通孔作为引压孔(10)；上芯片(1)的下表面与下芯片(8)上表面由密封硅橡胶层(11)密封后，经划片分割后形成单个微压传感器芯片。 

2.根据权利要求1所述的高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构，其特征在于所述单个的微压传感器芯片的规格4mm×4mm； 

该芯片微结构的尺寸：①上芯片1正面SiO₂层腐蚀形成的“回”字形浅槽(3)，槽宽500μm、槽深10μm，槽内边长1720μm；②在浅槽(3)上平面电阻区对称保留两个“I”形梁(4)，梁长度为槽宽500μm，梁宽度180μm；③在“I”形梁(4)上、“U”形压力敏感电阻(2)形状外，腐蚀出的浅槽深度小于10μm；④Si₃N₄复合钝化膜(6)厚度上芯片(1)中的单硬芯形敏感膜片(7)，膜片厚度仅有8～13μm，中心硬芯厚度是硅片初始厚度400μm。