[实用新型]一种湿法刻蚀水膜赶液系统有效
| 申请号： | 201320501620.4 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN203367238U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张恒;段甜键;马煜隆;杨东;姚骞;包崇彬 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种湿法刻蚀水膜赶液系统，包括若干滚轮，滚轮上方设置有喷淋装置，喷淋装置的一侧设置有阻水装置，阻水装置位于滚轮上方。使得水膜覆盖均匀，保护硅片正面PN结，同时减少水纹片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 水膜赶液 系统 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀水膜赶液系统，其特征在于：包括若干滚轮（5），滚轮（5）上方设置有喷淋装置（2），喷淋装置（2）的一侧设置有阻水装置，阻水装置位于滚轮（5）上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
