[实用新型]基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片有效
申请号: | 201320463793.1 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN203385661U | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 王卓然;袁国慧;高亮 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型为了解决某些生物化学物质的探测问题,提出了一种基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片,主要包括输入直波导、输出直波导和两个微环谐振腔,其中,第一微环谐振腔包括环状波导,并分别与输入直波导和输出直波导耦合连接,第二微环谐振腔位于第一微环谐振腔的环状波导内侧,并与第二微环谐振腔具有不相同的自由光谱范围,二者光学耦合连接。通过上述方案,本实用新型的光学生化传感芯片以第二光学谐振腔位于在第一光学谐振腔内侧中通过侧向耦合的方式相连接形成游标效应,用于检测外界物质对光信号的影响。使得在达到相同传感性能的条件下,大大减小光学生化传感芯片的体积,有利于实现光学生化传感器的微型化与片上传感系统。 | ||
搜索关键词: | 基于 游标 效应 双微环 谐振腔 光学 生化 传感 芯片 | ||
【主权项】:
基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体,其特征在于,所述SOI基体的单晶硅层包含输入直波导、输出直波导、第一微环谐振腔和第二微环谐振腔,其中,第一微环谐振腔包括环状波导,所述第一微环谐振腔分别与输入直波导和输出直波导耦合连接,第二微环谐振腔与第一微环谐振腔位于同一平面,并位于第一微环谐振腔的环状波导内侧,与第一微环谐振腔耦合连接,所述第一微环谐振腔与第二微环谐振腔具有不相同的自由光谱范围,二者光学耦合连接。
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