[实用新型]基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片有效

专利信息
申请号: 201320463793.1 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN203385661U 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 王卓然;袁国慧;高亮 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 周永宏
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 游标 效应 双微环 谐振腔 光学 生化 传感 芯片
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及对气体分子或者生物分子等特定的化学或生物物质的检测技术,具体涉及光传感技术领域,特别涉及基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片。 

背景技术

生化传感器是一种生物活性材料与相应换能器的结合体,它用于测定特定的化学或生物物质。由于测定这些化学或生物物质在环境监测、疾病监控以及药物研发中具有重要意义,所以对生化传感器的研究已经显得非常重要。目前典型的光学生化传感器主要可分为荧光标记型光学生化传感器和无标记型光学生化传感器两大类,由相关的文献可知,荧光标记型光学生化传感器虽然已被用于探测和辨别特定的生物化学分子,但却有设备庞大、操作复杂及花费时间长等缺点,且通常需要具有一定专业技术的专人操作,普及成本较高,同时,用于标记的荧光分子还有可能影响样本的探测。相比而言,无标记型光学生化传感器的尺寸更小,成本更低,应用方法也更为便捷,而且在测量过程中不再引入新的干扰,结果也更加可靠。 

基于SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)的光学生化传感器就是一种无标记型光学生化传感器,同时也正是本领域的研究热点。从现有的基于SOI的光学生化传感器来看,大多采用了倏逝波(消逝波)探测原理,倏逝波是指由于全反射而在两种不同介质的分界面上产生的一种电磁波,其幅值随与分界面相垂直的深度的增大而呈指数形式衰减,通过检测所述的光学生化传感器光波导的倏逝波以探测样本生物化学物质。其原理在于待测样本中生物化学物质会引起光学生化传感器中光波传输性质的改变(表现为光学生化传感器的有效折射率的变化),也即将使样本中的生物化学物质浓度信号转换为光信号变化。目前已用于传感的平面波导结构有马赫泽德干涉计、光栅、以及法布里-伯罗(FP)腔、环形腔、表面等离子体共振等结构。其中,对基于微环谐振腔结构(如FP腔、环形腔等)的光学生化传感器而言,谐振效应的引入可使光信号在谐振腔内不断谐振和放大,因此等效于光学生化传感器探测长度的增加,更能引起相位(或强度)等光信号变化到可探测的量值,进而实现在小尺寸光学生化传感器上达到较好的传感性能,另外小尺寸的光学生化传感器也便于光学生化传感器系统的小型化与微型化,将有效地降低系统成本。 

此外,基于游标效应的光学生化传感器近年来被人们逐渐提出,这种传感器是利用两个具有不同自由光谱范围的传感子系统,组成一个新的传感系统。这种新的传感系统的工作原理是:由于其两个子系统的自由光谱范围(FSR)不同,因此,整个传感系统的自由光 谱范围应该是两个子系统的自由光谱范围的最小公倍数。因此,这种传感器具有很大的自由光谱范围以及很大的测量范围。 

在现有的对气体分子或者生物分子等特定的化学或生物物质的检测技术领域中,在将基于SOI的片上系统的可小型化的优势和基于游标效应的系统测量精度等优势相结合的实例几乎没有。 

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决某些生物化学物质的探测问题,在现有技术中主流的基于光学探测的生化传感器的基础上,提出了基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片。 

为了实现上述目的,本实用新型的技术方案是:基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体,其特征在于,所述SOI基体的单晶硅层包含输入直波导、输出直波导、第一微环谐振腔和第二微环谐振腔,其中,第一微环谐振腔包括环状波导,所述第一微环谐振腔分别与输入直波导和输出直波导耦合连接,第二微环谐振腔与第一微环谐振腔位于同一平面,并位于第一微环谐振腔的环状波导内侧,与第一微环谐振腔耦合连接,所述第一微环谐振腔与第二微环谐振腔具有不相同的自由光谱范围,二者光学耦合连接。 

进一步的,第一微环谐振腔的环状波导包括两段等长且平行布置的直波导和两段半径相等并开口相对的半圆形波导,四段波导在同一平面内首尾相连形成第一微环谐振腔。 

进一步的,输入直波导和输出直波导分别在第一微环谐振腔的两段直波导处与第一微环谐振腔耦合。 

更进一步的,输入直波导和输出直波导与第一微环谐振腔耦合的波导耦合区内输入或输出直波导长度不超过5μm。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320463793.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top