[实用新型]溅射装置中的顶爪有效
| 申请号： | 201320435458.0 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN203456431U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈谦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种溅射装置中的顶爪，包括主体；所述主体的上表面分为支撑面、校准面、主平面三部分；所述支撑面和主平面均为平面，且支撑面的高度最低，主平面的高度最高；所述校准面为斜面连接支撑面和主平面；所述校准面与顶爪的底面之间的夹角在75°以上。本申请溅射装置中的顶爪通过对校准面的倾角的改变、以及材质的替换，在很大程度上降低了硅片滑落的概率，减少了校准面上出现撞击凹槽的情况，并能避免粘连现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 中的 | ||
【主权项】：
一种溅射装置中的顶爪，其特征是，所述顶爪包括主体；所述主体的上表面分为支撑面、校准面、主平面三部分；所述支撑面和主平面均为平面，且支撑面的高度最低，主平面的高度最高；所述校准面为斜面连接支撑面和主平面；所述校准面与顶爪的底面之间的夹角在75°以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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