[实用新型]一种灰阶掩模板有效
申请号: | 201320434114.8 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN203337997U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 颜莎宁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G02F1/153 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及光刻技术领域,特别是一种灰阶掩模板,该灰阶掩模板包括基板;设置在所述基板上的遮光层和电致变色器件;所述遮光层上设有透光区,所述电致变色器件与所述透光区相对应设置。本实用新型通过电致变光器件可控制掩模板上透光区的光透过率,从而满足光刻工艺中不同的透光率要求,节省了曝光工艺的加工成本;而且,在制作工艺中,无需二次曝光对位处理,避免在二次曝光对位处理中出现较大的位置偏差的问题;本实用新型可通过电致变色器件获得不同的光透过率,可在曝光工艺中,对工艺的调整更加灵活、方便,更易于获得更优化的结构设计。 | ||
搜索关键词: | 一种 灰阶掩 模板 | ||
【主权项】:
一种灰阶掩模板,其特征在于,包括:基板;设置在所述基板上的遮光层和电致变色器件;所述遮光层上设有透光区,所述电致变色器件用于控制所述遮光层上透光区的光透过率。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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