[实用新型]一种灰阶掩模板

说明书

技术领域

本实用新型涉及光刻技术领域，特别是一种灰阶掩模板。

背景技术

光刻工艺是以光刻胶为材料，在玻璃基板表面形成TFT（thin film transistor-薄膜场效应晶体管）结构的图形。这个图形的作用在于保护在它下面的薄膜，使其在下一道刻蚀工艺中，不被刻蚀掉，从而最终在薄膜上形成需要的图形。

目前，在光刻工艺中，采用掩模板对光刻胶进行曝光。TFT阵列基板制作工艺复杂，使用4～5个光掩模板。在这种情况下，提出了通过采用具有遮光、透光和半透光的光掩模板（称为灰阶掩模），使其制作工艺更加灵活。

灰阶掩模板一般采用以下流程制备：投入原材料，开始第一次曝光，第一次显影，第一次刻蚀，剥离光刻胶，进行掩模板清洗，然后沉积灰阶掩模层，涂覆光刻胶，进行第二次曝光对位，第二次曝光，第二次显影，第二次刻蚀，第二次去掉光刻胶，形成所需掩模板。

可见，现有的灰阶掩模板的制备过程中，需要二次曝光对位，容易产生二次对位偏差较大的缺陷，且制作工作复杂。同时，由于半透光部分的透过率固定，同一掩模板无法灵活满足光刻工艺中不同透光率的要求。

为了解决以上问题，本实用新型做了有益改进。

实用新型内容

（一）要解决的技术问题

本实用新型的目的是提供一种无需二次曝光对位处理即可制得的灰阶掩模板，该灰阶掩模板可通过调整导电电压控制其上透光区的光透过率。

（二）技术方案

本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种灰阶掩模板，包括：

基板；

设置在所述基板上的遮光层和电致变色器件；所述遮光层上设有透光区，所述电致变色器件与所述透光区相对应设置。

其中，所述遮光层设置在所述基板上表面，且所述遮光层上表面设置有绝缘层；所述电致变色器件设置在所述绝缘层上与所述遮光层相对的另一侧表面。

或者，所述遮光层设置在所述基板的一侧表面，且所述电致变色器件设置在所述基板上与所述遮光层相对的另一侧表面。

或者，所述电致变色器件设置在所述基板上表面，且所述电致变色器件上表面设置有绝缘层；所述遮光层设置在所述绝缘层上与所述电致变色器件相对的另一侧表面。

其中，所述电致变色器件包括第一导电层、第二导电层和电致变色层，所述第一导电层和第二导电层的材质均为像素电极材料，且分别设置在所述电致变色层的两侧面。

进一步，所述遮光层上设有多个独立的透光区；所述第一导电层包括多个独立的导电电极，所述多个导电电极与所述多个透光区一一对应设置。

优选的，所述电致变色层的材质为完全酰亚胺化复合薄膜材料。

（三）有益效果

与现有技术和产品相比，本实用新型有如下优点：

1、本实用新型通过电致变光器件可控制掩模板上透光区的光透过率，从而满足光刻工艺中不同的透光率要求，节省了曝光工艺的加工成本；

2、本实用新型提供的掩模板在制作工艺中，无需二次曝光对位处理，避免在二次曝光对位处理中出现较大的位置偏差的问题；

3、本实用新型可通过电致变色器件获得不同的光透过率，可在曝光工艺中，对工艺的调整更加灵活、方便，更易于获得更优化的结构设计。

附图说明

图1是本实用新型的完全酰亚胺化复合薄膜材料的光透过率Uv-vis曲线图；

图2是本实用新型的灰阶掩模板第一种结构图；

图3是本实用新型的灰阶掩模板第二种结构图

图4是本实用新型的灰阶掩模板第三种结构图

附图中，各标号所代表的组件列表如下：

1、基板；2、遮光层；21、透光区；3、绝缘层；4、电致变色器件；41、第一导电层；42、电致变色层；43、第二导电层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做一个详细的说明。

如图3所示，本实施例提供一种灰阶掩模板，该掩模板可应用于光刻技术的曝光处理工艺中。所述灰阶掩模板包括基板1；设置在所述基板1上的遮光层2和电致变色器件4；所述遮光层2上设有透光区21，所述电致变色器件4与所述透光区21相对应设置。电致变色器件4可在电场的作用下而引起其透光或吸收性能的可调性，可实现由人的意愿调节光透过率的目的，从而就控制了对应的透光区21的光透过率。通过对电致变色器件4施加不同的控制电压，控制电致变色器件4的变色程度，获得不同的光透过率，以达到理想的灰阶掩模效果。