[实用新型]一种灰阶掩模板有效
申请号: | 201320434114.8 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN203337997U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 颜莎宁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G02F1/153 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 灰阶掩 模板 | ||
1.一种灰阶掩模板,其特征在于,包括:
基板;
设置在所述基板上的遮光层和电致变色器件;所述遮光层上设有透光区,所述电致变色器件用于控制所述遮光层上透光区的光透过率。
2.根据权利要求1所述的灰阶掩模板,其特征在于,所述电致变色器件包括第一导电层、第二导电层和电致变色层,所述第一导电层和第二导电层的材质均为透明电极材料,且分别设置在所述电致变色层的两侧面。
3.根据权利要求2所述的灰阶掩模板,其特征在于,所述遮光层上设有多个独立的透光区;所述第一导电层包括多个独立的导电电极,所述多个导电电极与所述多个透光区一一对应设置。
4.根据权利要求2所述的灰阶掩模板,其特征在于,所述电致变色层的材质为完全酰亚胺化复合薄膜材料。
5.根据权利要求1所述的灰阶掩模板,其特征在于,所述遮光层设置在所述基板上表面,且所述遮光层上表面设置有绝缘层;所述电致变色器件设置在所述绝缘层上与所述遮光层相对的另一侧表面。
6.根据权利要求1所述的灰阶掩模板,其特征在于,所述遮光层设置在所述基板的一侧表面,且所述电致变色器件设置在所述基板上与所述遮光层相对的另一侧表面。
7.根据权利要求1所述的灰阶掩模板,其特征在于,所述电致变色器件设置在所述基板上表面,且所述电致变色器件上表面设置有绝缘层;所述遮光层设置在所述绝缘层上与所述电致变色器件相对的另一侧表面。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备