[实用新型]硅晶片电阻率测量装置有效
| 申请号： | 201320413695.7 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN203455409U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 沈宇平 | 申请（专利权）人： | 苏州博昇科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅晶片电阻率测量装置，所述测量装置包括：支架，信号处理器，高频振荡器，所述支架上方设有第一探头，所述支架下方设有第二探头，所述第一探头和第二探头分别与所述高频振荡器连接，还包括调整第一探头与第二探头间相互距离的驱动机构，所述驱动机构与所述第一探头或第二探头连接，所述第一探头和第二探头分别与所述信号处理器连接，本实用新型能够提高涡流电流方法测量硅晶片电阻率所适用的厚度范围以及电阻率范围，而且能够提高电阻率测量的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 电阻率 测量 装置 | ||
【主权项】：
一种硅晶片电阻率测量装置，其特征在于，所述测量装置包括：支架，信号处理器，高频振荡器，所述支架上方设有第一探头，所述支架下方设有第二探头，所述第一探头和第二探头分别与所述高频振荡器连接，还包括驱动机构，用于调整第一探头与第二探头间相互距离，所述驱动机构与所述第一探头或第二探头连接，所述第一探头和第二探头分别与所述信号处理器连接。
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