[实用新型]一种GaN基发光二极管外延片用衬底有效
| 申请号： | 201320355290.2 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN203300687U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;张向飞;钱仁海;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 谢观素 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基发光二极管外延片用衬底，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述蓝宝石衬底层（1）为图形衬底，蓝宝石衬底层（1）上阵列式分布有多个图形凸起（11），图形凸起（11）上包覆有图形凸起掩膜，各图形凸起（11）之间的间隔为1μm，各图形凸起（11）竖截面与蓝宝石衬底层（1）接触长度为2μm，各图形凸起（11）的高度为1.6μm，该技术方案有效解决传统外延片抗静电能力差和发光效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 衬底 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管外延片用衬底，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述蓝宝石衬底层（1）为图形衬底，蓝宝石衬底层（1）上阵列式分布有多个图形凸起（11），图形凸起（11）上包覆有图形凸起掩膜，各图形凸起（11）之间的间隔为1μm，各图形凸起（11）竖截面与蓝宝石衬底层（1）接触长度为2μm，各图形凸起（11）的高度为1.6μm。
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