[实用新型]N型晶体硅高效双面电池片有效
申请号: | 201320333316.3 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN203386768U | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 金建江;李叶生;李林江 | 申请(专利权)人: | 浙江金诺新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/042 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 郑文涛;严晓 |
地址: | 317000 浙江省台*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种N型晶体硅高效双面电池片,包括P形硅,P形硅的两侧分别设置有反射极和聚集电极,其特征在于在所述P形硅与反射极之间设置有N+层,所述P形硅与聚集电极之间设置有P+层硼扩散膜。本实用新型可以有效抑制入射光的反射,能够有效的降低生产成本,还可以提高光电转换效率,本实用新型的优点是电池片表面均有减反射膜,正面光电转换效率达到18.0%,背面光电转换效率达到14.4%,正反面转换效率之比为0.8,相比常规电池片其转换效率更高,增加了企业的效益。 | ||
搜索关键词: | 晶体 高效 双面 电池 | ||
【主权项】:
一种N型晶体硅高效双面电池片,包括P形硅(5),P形硅(5)的两侧分别设置有反射极(3)和聚集电极(8),其特征在于在所述P形硅(5)与反射极(3)之间设置有N+层(9),所述P形硅(5)与聚集电极(8)之间设置有P+层硼扩散膜(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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